SI4778DY-T1-E3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI4778DY-T1-E3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 8A 8SO |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.4W (Ta), 5W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 13 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
Grundproduktnummer | SI4778 |
SI4778DY-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] | SI4778DY-T1-E3 PDF - EN.pdf |
RF RX AM/FM 520KHZ-1.71MHZ 40QFN
MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC
MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC
SI4788 Original
VISHAY SOP-8
Si4776DY-T1-E3 VISHAY
MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO
SI4779CY-T1 VISHAY
VISHAY SOP-8
VISHAY SOP-8
SI4788CY-T1-E3 VISHAY
MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO
SI4788DY-T1-E3 VISHAT
SI4779CY-T1-E3 VISHAY
VISHAY SOP8
MOSFET N-CH 25V 8A 8SO
VISHAY SOP
SI4778DY VISHAY
SI4788CY VISHAY
RF RX AM/FM 520KHZ-1.71MHZ 40QFN
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI4778DY-T1-E3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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